Tecnologia MOSFET Infineon M1H CoolSiC™ e análise de confiabilidade

A Infineon lança o MOSFET M1H CoolSiC™, que usa tecnologia de trincheira assimétrica para combinar desempenho e confiabilidade. Esta tecnologia resolve efetivamente o problema de confiabilidade da camada de óxido de porta SiC MOSFET e melhora o desempenho do dispositivo. O chip M1H tem baixa taxa de falhas e melhor qualidade de óxido de porta, reduzindo significativamente o desvio de limite. Além disso, este MOSFET promete capacidade de curto-circuito, com um único tubo tendo um tempo de curto-circuito de 3us a uma tensão de porta de 15V.