Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET -teknologia ja luotettavuusanalyysi

Infineon julkaisee M1H CoolSiC™ MOSFETin, joka käyttää epäsymmetristä kaivannon porttitekniikkaa yhdistämään suorituskykyä ja luotettavuutta. Tämä tekniikka ratkaisee tehokkaasti SiC MOSFET -portin oksidikerroksen luotettavuusongelman ja parantaa laitteen suorituskykyä. M1H-sirulla on alhainen vikataajuus ja parannettu hilaoksidin laatu, mikä vähentää merkittävästi kynnyspoikkeamista. Lisäksi tämä MOSFET lupaa oikosulkukyvyn, ja yhden putken oikosulkuaika on 3 us 15 V:n hilajännitteellä.