Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET-teknologi og pålidelighedsanalyse

Infineon lancerer M1H CoolSiC™ MOSFET, som bruger asymmetrisk trench gate-teknologi til at kombinere ydeevne og pålidelighed. Denne teknologi løser effektivt pålidelighedsproblemet med SiC MOSFET-gateoxidlag og forbedrer enhedens ydeevne. M1H-chippen har lav fejlrate og forbedret gateoxidkvalitet, hvilket reducerer tærskeldriften markant. Derudover lover denne MOSFET kortslutningsevne, hvor et enkelt rør har en kortslutningstid på 3us ved en gatespænding på 15V.