Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET-technologie en betrouwbaarheidsanalyse

Infineon lanceert M1H CoolSiC™ MOSFET, die gebruik maakt van asymmetrische geulpoorttechnologie om prestaties en betrouwbaarheid te combineren. Deze technologie lost effectief het betrouwbaarheidsprobleem van de SiC MOSFET-poortoxidelaag op en verbetert de prestaties van het apparaat. De M1H-chip heeft een laag uitvalpercentage en een verbeterde poortoxidekwaliteit, waardoor de drempelafwijking aanzienlijk wordt verminderd. Bovendien belooft deze MOSFET kortsluitvermogen, waarbij een enkele buis een kortsluittijd van 3us heeft bij een poortspanning van 15V.