Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET-teknik och tillförlitlighetsanalys

Infineon lanserar M1H CoolSiC™ MOSFET, som använder asymmetrisk trench gate-teknik för att kombinera prestanda och tillförlitlighet. Denna teknik löser effektivt tillförlitlighetsproblemet med SiC MOSFET-gateoxidskikt och förbättrar enhetens prestanda. M1H-chippet har låg felfrekvens och förbättrad gateoxidkvalitet, vilket avsevärt minskar tröskeldriften. Dessutom lovar denna MOSFET kortslutningskapacitet, med ett enda rör som har en kortslutningstid på 3us vid en gate-spänning på 15V.