Τεχνολογία Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET και ανάλυση αξιοπιστίας

Η Infineon λανσάρει το M1H CoolSiC™ MOSFET, το οποίο χρησιμοποιεί τεχνολογία ασύμμετρης πύλης τάφρου για να συνδυάσει απόδοση και αξιοπιστία. Αυτή η τεχνολογία λύνει αποτελεσματικά το πρόβλημα αξιοπιστίας του στρώματος οξειδίου πύλης SiC MOSFET και βελτιώνει την απόδοση της συσκευής. Το τσιπ M1H έχει χαμηλό ποσοστό αστοχίας και βελτιωμένη ποιότητα οξειδίου πύλης, μειώνοντας σημαντικά τη μετατόπιση του ορίου. Επιπλέον, αυτό το MOSFET υπόσχεται δυνατότητα βραχυκυκλώματος, με έναν μόνο σωλήνα να έχει χρόνο βραχυκυκλώματος 3 us σε τάση πύλης 15 V.