Технология Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET и анализ надежности

Infineon выпускает МОП-транзистор M1H CoolSiC™, в котором используется технология асимметричного затвора, обеспечивающая сочетание производительности и надежности. Эта технология эффективно решает проблему надежности оксидного слоя затвора SiC MOSFET и повышает производительность устройства. Чип M1H имеет низкую частоту отказов и улучшенное качество оксида затвора, что значительно снижает пороговый дрейф. Кроме того, этот МОП-транзистор обеспечивает устойчивость к короткому замыканию: время короткого замыкания одной трубки составляет 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.