Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET Teknolojisi ve Güvenilirlik Analizi

Infineon, performans ve güvenilirliği birleştirmek için asimetrik hendek kapısı teknolojisini kullanan M1H CoolSiC™ MOSFET'i piyasaya sürdü. Bu teknoloji, SiC MOSFET geçit oksit katmanının güvenilirlik sorununu etkili bir şekilde çözer ve cihaz performansını artırır. M1H çipi düşük arıza oranına ve gelişmiş geçit oksit kalitesine sahip olup eşik kaymasını önemli ölçüde azaltır. Ayrıca bu MOSFET, 15V kapı geriliminde 3us kısa devre süresine sahip tek tüp ile kısa devre kabiliyeti vaat etmektedir.