Tehnologie Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET și analiză de fiabilitate

Infineon lansează MOSFET M1H CoolSiC™, care folosește tehnologia asimetrică a porții de șanț pentru a combina performanța și fiabilitatea. Această tehnologie rezolvă eficient problema de fiabilitate a stratului de oxid de poartă SiC MOSFET și îmbunătățește performanța dispozitivului. Cipul M1H are o rată scăzută de eșec și o calitate îmbunătățită a oxidului de poartă, reducând în mod semnificativ deriva de prag. În plus, acest MOSFET promite capacitatea de scurtcircuit, cu un singur tub având un timp de scurtcircuit de 3us la o tensiune de poartă de 15V.