Technológia Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET a analýza spoľahlivosti

Infineon uvádza na trh M1H CoolSiC™ MOSFET, ktorý využíva technológiu asymetrickej priekopovej brány na spojenie výkonu a spoľahlivosti. Táto technológia efektívne rieši problém spoľahlivosti SiC MOSFET hradlovej oxidovej vrstvy a zlepšuje výkon zariadenia. Čip M1H má nízku poruchovosť a zlepšenú kvalitu oxidu hradla, čo výrazne znižuje prahový drift. Tento MOSFET navyše sľubuje schopnosť skratu, pričom jedna elektrónka má skratový čas 3us pri napätí brány 15V.