Technologie Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET a analýza spolehlivosti

Společnost Infineon uvádí na trh M1H CoolSiC™ MOSFET, který využívá technologii asymetrických zákopových bran ke kombinaci výkonu a spolehlivosti. Tato technologie účinně řeší problém spolehlivosti hradlové oxidové vrstvy SiC MOSFET a zlepšuje výkon zařízení. Čip M1H má nízkou poruchovost a zlepšenou kvalitu hradlového oxidu, což výrazně snižuje drift prahu. Navíc tento MOSFET slibuje zkratovou schopnost, přičemž jedna elektronka má dobu zkratu 3us při napětí hradla 15V.