Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET technológia és megbízhatósági elemzés

Az Infineon piacra dobja az M1H CoolSiC™ MOSFET-et, amely aszimmetrikus árokkapu technológiát alkalmaz a teljesítmény és a megbízhatóság ötvözésére. Ez a technológia hatékonyan megoldja a SiC MOSFET kapu-oxid réteg megbízhatósági problémáját és javítja az eszköz teljesítményét. Az M1H chip alacsony meghibásodási rátával és jobb kapu-oxid minőséggel rendelkezik, jelentősen csökkentve a küszöbeltolódást. Ezenkívül ez a MOSFET rövidzárlati képességet ígér, egyetlen cső rövidzárlati ideje 3us 15 V kapufeszültség mellett.