Технологія MOSFET Infineon M1H CoolSiC™ і аналіз надійності

Infineon запускає M1H CoolSiC™ MOSFET, який використовує асиметричну технологію траншеї для поєднання продуктивності та надійності. Ця технологія ефективно вирішує проблему надійності шару оксиду затвора SiC MOSFET і покращує продуктивність пристрою. Мікросхема M1H має низький відсоток відмов і покращену якість оксиду затвора, що значно зменшує пороговий дрейф. Крім того, цей МОП-транзистор обіцяє можливість короткого замикання, оскільки одна трубка має час короткого замикання 3 мкс при напрузі затвора 15 В.