Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET technologija ir patikimumo analizė

„Infineon“ pristato M1H CoolSiC™ MOSFET, kuris naudoja asimetrinių tranšėjos užtvarų technologiją, kad suderintų našumą ir patikimumą. Ši technologija efektyviai išsprendžia SiC MOSFET vartų oksido sluoksnio patikimumo problemą ir pagerina įrenginio veikimą. M1H lustas pasižymi mažu gedimų dažniu ir geresne vartų oksido kokybe, o tai žymiai sumažina slenksčio poslinkį. Be to, šis MOSFET žada trumpojo jungimo galimybę, kai vieno vamzdžio trumpojo jungimo laikas yra 3 us, kai vartų įtampa yra 15 V.