Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET प्रौद्योगिकी और विश्वसनीयता विश्लेषण

Infineon ने M1H CoolSiC™ MOSFET लॉन्च किया, जो प्रदर्शन और विश्वसनीयता को संयोजित करने के लिए असममित ट्रेंच गेट तकनीक का उपयोग करता है। यह तकनीक SiC MOSFET गेट ऑक्साइड परत की विश्वसनीयता समस्या को प्रभावी ढंग से हल करती है और डिवाइस के प्रदर्शन में सुधार करती है। एम1एच चिप में विफलता दर कम है और गेट ऑक्साइड गुणवत्ता में सुधार हुआ है, जिससे थ्रेसहोल्ड ड्रिफ्ट में काफी कमी आई है। इसके अलावा, यह MOSFET शॉर्ट-सर्किट क्षमता का वादा करता है, जिसमें एक ट्यूब में 15V के गेट वोल्टेज पर 3us का शॉर्ट-सर्किट समय होता है।