Phân tích độ tin cậy và công nghệ MOSFET Infineon M1H CoolSiC™

Infineon ra mắt MOSFET M1H CoolSiC™, sử dụng công nghệ cổng rãnh bất đối xứng để kết hợp hiệu suất và độ tin cậy. Công nghệ này giải quyết hiệu quả vấn đề về độ tin cậy của lớp oxit cổng MOSFET SiC và cải thiện hiệu suất thiết bị. Chip M1H có tỷ lệ hỏng hóc thấp và chất lượng oxit cổng được cải thiện, giảm đáng kể độ lệch ngưỡng. Ngoài ra, MOSFET này hứa hẹn có khả năng đoản mạch, với một ống đơn có thời gian ngắn mạch là 3us ở điện áp cổng 15V.