Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET প্রযুক্তি এবং নির্ভরযোগ্যতা বিশ্লেষণ

Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET চালু করেছে, যা পারফরম্যান্স এবং নির্ভরযোগ্যতা একত্রিত করতে অসমমিত ট্রেঞ্চ গেট প্রযুক্তি ব্যবহার করে। এই প্রযুক্তি কার্যকরভাবে SiC MOSFET গেট অক্সাইড স্তরের নির্ভরযোগ্যতা সমস্যা সমাধান করে এবং ডিভাইসের কর্মক্ষমতা উন্নত করে। M1H চিপের কম ব্যর্থতার হার এবং উন্নত গেট অক্সাইড গুণমান রয়েছে, যা উল্লেখযোগ্যভাবে থ্রেশহোল্ড ড্রিফ্ট হ্রাস করে। উপরন্তু, এই MOSFET শর্ট-সার্কিট ক্ষমতার প্রতিশ্রুতি দেয়, একটি একক টিউবের সাথে 15V এর গেট ভোল্টেজে 3us এর শর্ট-সার্কিট সময় থাকে।