تقنية Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET وتحليل الموثوقية

أطلقت شركة Infineon تقنية M1H CoolSiC™ MOSFET، التي تستخدم تقنية بوابة الخندق غير المتماثلة للجمع بين الأداء والموثوقية. تعمل هذه التقنية على حل مشكلة موثوقية طبقة أكسيد بوابة SiC MOSFET بشكل فعال وتحسين أداء الجهاز. تتميز شريحة M1H بمعدل فشل منخفض وجودة أكسيد البوابة المحسنة، مما يقلل بشكل كبير من انحراف العتبة. بالإضافة إلى ذلك، يعد هذا MOSFET بقدرة على عمل دائرة قصر، مع أنبوب واحد به وقت دائرة قصر يبلغ 3us عند جهد بوابة يبلغ 15 فولت.