Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET טכנולוגיה וניתוח מהימנות

Infineon משיקה את M1H CoolSiC™ MOSFET, המשתמשת בטכנולוגיית שער תעלה א-סימטרית כדי לשלב ביצועים ואמינות. טכנולוגיה זו פותרת ביעילות את בעיית האמינות של שכבת תחמוצת השער SiC MOSFET ומשפרת את ביצועי המכשיר. לשבב ה-M1H יש שיעור כשל נמוך ואיכות תחמוצת השער משופרת, מה שמפחית משמעותית את סחף הסף. בנוסף, MOSFET זה מבטיח יכולת קצר חשמלית, כאשר לצינור בודד יש זמן קצר של 3us במתח שער של 15V.