Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET ტექნოლოგია და საიმედოობის ანალიზი

Infineon გამოუშვებს M1H CoolSiC™ MOSFET-ს, რომელიც იყენებს ასიმეტრიული თხრილის კარიბჭის ტექნოლოგიას მუშაობისა და საიმედოობის შერწყმისთვის. ეს ტექნოლოგია ეფექტურად წყვეტს SiC MOSFET კარიბჭის ოქსიდის ფენის საიმედოობის პრობლემას და აუმჯობესებს მოწყობილობის მუშაობას. M1H ჩიპს აქვს უკმარისობის დაბალი მაჩვენებელი და გაუმჯობესებული კარიბჭის ოქსიდის ხარისხი, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს ბარიერის დრეიფს. გარდა ამისა, ეს MOSFET გვპირდება მოკლედ შერთვის შესაძლებლობას, ერთ მილს აქვს მოკლე შერთვის დრო 3 us-ზე 15 ვ ძაბვის კარიბჭეზე.