Infineon M1H CoolSiCTM MOSFET Tecnología ha Análisis de Confiabilidad rehegua

Infineon omoherakuã M1H CoolSiCTM MOSFET, oiporúva tecnología compuerta de zanja asimétrica ombojoaju haguã rendimiento ha confiabilidad. Ko tecnología osoluciona efectivamente problema de confiabilidad capa de óxido compuerta SiC MOSFET ha omohenda porãve dispositivo rendimiento. Ko chip M1H oreko baja tasa de falla ha mejora calidad óxido compuerta, tuicha omboguejýva deriva umbral. Avei, ko MOSFET opromete capacidad de cortocircuito, peteî tubo orekóva tiempo de cortocircuito 3us peteî tensión compuerta 15V.