Samsung dẫn đầu sản xuất hàng loạt công nghệ bộ nhớ flash V-NAND thế hệ thứ chín

Samsung thông báo sản phẩm TLC V-NAND 1Tb thế hệ thứ 9 của họ đã được đưa vào sản xuất hàng loạt, sử dụng công nghệ khắc lỗ kênh tiên tiến để tăng mật độ bit lên khoảng 50% so với thế hệ trước. Sản phẩm mới có hiệu suất cao hơn, tiêu thụ điện năng thấp hơn, hỗ trợ PCIe 5.0 và phù hợp với nhu cầu của kỷ nguyên AI trong tương lai.