Samsung mengetuai pengeluaran besar-besaran teknologi memori kilat V-NAND generasi kesembilan

Samsung mengumumkan bahawa produk TLC V-NAND 1Tb generasi kesembilannya telah dimasukkan ke dalam pengeluaran besar-besaran, menggunakan teknologi goresan lubang saluran termaju untuk meningkatkan ketumpatan bit kira-kira 50% berbanding generasi sebelumnya. Produk baharu ini mempunyai prestasi yang lebih tinggi, penggunaan kuasa yang lebih rendah, menyokong PCIe 5.0, dan sesuai untuk keperluan era AI masa hadapan.