تقود سامسونج الإنتاج الضخم لتقنية ذاكرة فلاش V-NAND من الجيل التاسع

أعلنت شركة سامسونج أن منتجها من الجيل التاسع V-NAND 1Tb TLC قد دخل حيز الإنتاج الضخم، وذلك باستخدام تقنية حفر ثقب القناة المتقدمة لزيادة كثافة البت بنسبة 50٪ تقريبًا مقارنة بالجيل السابق. يتمتع المنتج الجديد بأداء أعلى، واستهلاك أقل للطاقة، ويدعم PCIe 5.0، وهو مناسب لاحتياجات عصر الذكاء الاصطناعي المستقبلي.