סמסונג מובילה בייצור המוני של טכנולוגיית זיכרון פלאש V-NAND מהדור התשיעי

סמסונג הודיעה כי מוצר ה-V-NAND 1Tb TLC מהדור התשיעי שלה הוכנס לייצור המוני, תוך שימוש בטכנולוגיה מתקדמת של תחריט חורים בתעלה כדי להגדיל את צפיפות הסיביות בכ-50% בהשוואה לדור הקודם. למוצר החדש ביצועים גבוהים יותר, צריכת חשמל נמוכה יותר, תומך ב-PCIe 5.0 ומתאים לצורכי עידן הבינה המלאכותית העתידית.