Infineon julkaisee uuden 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 erillisen tuotteen

Infineon Technologies lanseeraa uuden 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 erillistuotteen yhdistettynä uuden sukupolven EC7 vapaakäyntidiodeihin tehonsyöttöratkaisujen tehokkuuden parantamiseksi. Laite käyttää edistynyttä mikro-trench gate -tekniikkaa häviöiden vähentämiseksi ja sopii sovelluksiin, kuten sähköajoneuvojen lataus- ja energianvarastointijärjestelmiin. Saatavana TO-247-3 HCC:ssä ja muissa pakkauksissa, sillä on korkea kosteudenkestävä suorituskyky ja se sopii ankariin ympäristöihin.