Infineon lancia il nuovo prodotto discreto TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 da 650 V

Infineon Technologies lancia il nuovo prodotto discreto TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 da 650 V, combinato con una nuova generazione di diodi a ruota libera EC7 per migliorare l'efficienza delle soluzioni di alimentazione. Il dispositivo utilizza la tecnologia avanzata di micro-trench gate per ridurre le perdite ed è adatto per applicazioni come la ricarica di veicoli elettrici e i sistemi di accumulo di energia. Disponibile in TO-247-3 HCC e altri pacchetti, ha elevate prestazioni di resistenza all'umidità ed è adatto ad ambienti difficili.