Infineon verëffentlecht neit 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskret Produkt

Infineon Technologies lancéiert nei 650V TRENCHSTOP ™ IGBT7 H7 diskret Produkt, kombinéiert mat enger neier Generatioun vun EC7 Freewheeling Dioden fir d'Effizienz vun Energieversuergungsléisungen ze verbesseren. Den Apparat benotzt fortgeschratt Mikro-Trench Gate Technologie fir Verloschter ze reduzéieren an ass gëeegent fir Uwendungen wéi elektresch Gefierer Opluedstatiounen an Energiespeichersystemer. Verfügbar an TO-247-3 HCC an aner Packagen, et huet héich feuchtbeständeg Leeschtung an ass gëeegent fir haart Ëmfeld.