Infineon выпускает новый дискретный продукт TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 на 650 В

Infineon Technologies представляет новый дискретный продукт TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 с напряжением 650 В в сочетании с обратными диодами нового поколения EC7 для повышения эффективности решений по электропитанию. В устройстве используется передовая технология микротраншейных затворов для снижения потерь и подходит для таких применений, как зарядка электромобилей и системы хранения энергии. Доступный в корпусе TO-247-3 HCC и других корпусах, он обладает высокими влагозащищенными характеристиками и подходит для суровых условий эксплуатации.