Das 62-mm-Halbbrückenmodul von Infineon mit 1200-V-SiC-M1H-Chip

Das 62-mm-Halbbrückenmodul des neuen 1200-V-SiC-M1H-Chips von Infineon mit einer maximalen Spezifikation von 1 mΩ wurde auf den Markt gebracht. Das Modul nutzt die M1H-Chiptechnologie, um die Leistung von VGS(th), RDS(on)-Drift und Gate-Treiberspannungsfenster zu verbessern. Darüber hinaus ist auch eine Version mit voraufgetragenem Thermal Interface Material (TIM) erhältlich. Dieses Modul eignet sich zum Laden von Elektrofahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichtern, USVs und anderen Bereichen.