Infineonin 62 mm:n puolisiltamoduuli, joka käyttää 1200 V SiC M1H -sirua

Infineonin uuden 1200 V SiC M1H -sirun 62 mm:n puolisiltamoduuli on lanseerattu, ja sen maksimimääritys on 1 mΩ. Moduuli käyttää M1H-siruteknologiaa parantamaan VGS(th), RDS(on)-driftin ja gate drive jänniteikkunan suorituskykyä. Lisäksi valmiiksi asennettu Thermal Interface Material (TIM) -versio on saatavilla. Tämä moduuli soveltuu sähköajoneuvojen lataukseen, aurinkosähköinverttereihin, UPS:iin ja muille aloille.