Infineon's 62 mm halve brugmodule met behulp van 1200V SiC M1H-chip

De 62 mm halve brugmodule van Infineons nieuwe 1200 V SiC M1H-chip is gelanceerd, met een maximale specificatie van 1 mΩ. De module maakt gebruik van M1H-chiptechnologie om de prestaties van VGS(th), RDS(on) drift en gate drive-spanningsvenster te verbeteren. Daarnaast is er ook een vooraf aangebrachte versie van Thermal Interface Material (TIM) beschikbaar. Deze module is geschikt voor het opladen van elektrische voertuigen, fotovoltaïsche omvormers, UPS en andere velden.