Módulo de medio puente de 62 mm de Infineon que utiliza un chip SiC M1H de 1200 V

Se lanzó el módulo de medio puente de 62 mm del nuevo chip SiC M1H de 1200 V de Infineon, con una especificación máxima de 1 mΩ. El módulo utiliza tecnología de chip M1H para mejorar el rendimiento de VGS(th), deriva RDS(on) y ventana de voltaje de accionamiento de compuerta. Además, está disponible una versión de material de interfaz térmica (TIM) preaplicado. Este módulo es adecuado para carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos, UPS y otros campos.