Modulo a semiponte da 62 mm di Infineon che utilizza chip SiC M1H da 1200 V

È stato lanciato il modulo a semiponte da 62 mm del nuovo chip SiC M1H da 1200 V di Infineon, con una specifica massima di 1 mΩ. Il modulo utilizza la tecnologia del chip M1H per migliorare le prestazioni della finestra di tensione di comando del gate e della deriva VGS(th), RDS(on). Inoltre, è disponibile una versione con materiale di interfaccia termica (TIM) preapplicato. Questo modulo è adatto per la ricarica di veicoli elettrici, inverter fotovoltaici, UPS e altri campi.