Infineon's 62mm Hallefbréck Modul mat 1200V SiC M1H Chip
Si
Inter
M1H
Mo
Si
Chip
Hall
Gate
Interface
Interface
Technologie
fueren
Opluedstatioun
Hall
elektresch
Opluedstatioun
Opluedstatioun
SiC
Feld
2024-12-19 19:46
6
Den 62mm Hallefbréckmodul vum Infineon sengem neien 1200V SiC M1H Chip gouf gestart, mat enger maximaler Spezifizéierung vun 1mΩ. De Modul benotzt M1H Chip Technologie d'Performance vun VGS ze verbesseren (th), RDS (an) Drift an Gate fueren Volt Fënster. Zousätzlech ass eng pre-applizéiert Thermal Interface Material (TIM) Versioun verfügbar. Dëse Modul ass gëeegent fir elektresch Gefierer Opluedstatiounen, photovoltaic inverters, UPS an aner Felder.
