Полумостовой модуль Infineon диаметром 62 мм с использованием чипа SiC M1H 1200 В.

Выпущен 62-мм полумостовой модуль нового чипа SiC M1H компании Infineon с напряжением 1200 В и максимальным сопротивлением 1 мОм. Модуль использует технологию чипа M1H для улучшения характеристик дрейфа VGS(th), RDS(on) и окна напряжения управления затвором. Кроме того, доступна версия с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом (TIM). Этот модуль подходит для зарядки электромобилей, фотоэлектрических инверторов, ИБП и других областей.