Modulul semi-bridge de 62 mm de la Infineon folosind cip SiC M1H de 1200 V

Modulul semi-bridge de 62 mm al noului cip SiC M1H de la Infineon de 1200 V a fost lansat, cu o specificație maximă de 1 mΩ. Modulul folosește tehnologia chip M1H pentru a îmbunătăți performanța ferestrei de tensiune VGS(th), RDS(on) drift și gate drive. În plus, este disponibilă și o versiune de material de interfață termică (TIM) pre-aplicată. Acest modul este potrivit pentru încărcarea vehiculelor electrice, invertoare fotovoltaice, UPS și alte domenii.