Moduł półmostkowy 62 mm firmy Infineon wykorzystujący układ SiC M1H o napięciu 1200 V

Wprowadzono na rynek 62-milimetrowy moduł półmostkowy nowego układu Infineon SiC M1H 1200 V, o maksymalnej specyfikacji 1 mΩ. Moduł ten wykorzystuje technologię chipa M1H w celu poprawy wydajności okna napięcia napędu VGS(th), RDS(on) i napędu bramki. Dodatkowo dostępna jest wersja z wstępnie nałożonym materiałem termoprzewodzącym (TIM). Moduł ten nadaje się do ładowania pojazdów elektrycznych, falowników fotowoltaicznych, UPS i innych dziedzin.