Moduli gjysmë urë i Infineon 62 mm duke përdorur çipin 1200V SiC M1H

Moduli gjysmë urë 62 mm i çipit të ri 1200V SiC M1H të Infineon është lançuar, me një specifikim maksimal prej 1mΩ. Moduli përdor teknologjinë e çipit M1H për të përmirësuar performancën e dritares së tensionit VGS(th), RDS(on) dhe driftit të portës. Përveç kësaj, disponohet edhe një version i para-aplikuar i Materialit të Ndërfaqes Termike (TIM). Ky modul është i përshtatshëm për karikimin e automjeteve elektrike, inverterët fotovoltaikë, UPS dhe fusha të tjera.