Infineon ၏ 62mm half-bridge module သည် 1200V SiC M1H ချစ်ပ်ကို အသုံးပြုထားသည်။

Infineon ၏ 1200V SiC M1H ချစ်ပ်အသစ်၏ 62mm half-bridge module ကို အမြင့်ဆုံးသတ်မှတ်ချက် 1mΩ ဖြင့် စတင်လိုက်ပြီဖြစ်သည်။ မော်ဂျူးသည် VGS(th), RDS(on) drift နှင့် gate drive ဗို့အားဝင်းဒိုးများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် M1H ချစ်ပ်နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ ထို့အပြင်၊ ကြိုတင်အသုံးပြုထားသည့် Thermal Interface Material (TIM) ဗားရှင်းကိုလည်း ရရှိနိုင်သည်။ ဤ module သည် လျှပ်စစ်ကားအားသွင်းခြင်း၊ photovoltaic အင်ဗာတာများ၊ UPS နှင့် အခြားနယ်ပယ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။