Infineon का 62mm हाफ-ब्रिज मॉड्यूल 1200V SiC M1H चिप का उपयोग करता है

Infineon के नए 1200V SiC M1H चिप का 62mm हाफ-ब्रिज मॉड्यूल लॉन्च किया गया है, जिसकी अधिकतम विशिष्टता 1mΩ है। मॉड्यूल वीजीएस(वें), आरडीएस(ऑन) ड्रिफ्ट और गेट ड्राइव वोल्टेज विंडो के प्रदर्शन को बेहतर बनाने के लिए एम1एच चिप तकनीक का उपयोग करता है। इसके अतिरिक्त, एक पूर्व-लागू थर्मल इंटरफ़ेस सामग्री (टीआईएम) संस्करण उपलब्ध है। यह मॉड्यूल इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग, फोटोवोल्टिक इनवर्टर, यूपीएस और अन्य क्षेत्रों के लिए उपयुक्त है।