Modul setengah jembatan 62mm Infineon menggunakan chip SiC M1H 1200V

Modul setengah jembatan 62mm dari chip 1200V SiC M1H baru Infineon telah diluncurkan, dengan spesifikasi maksimum 1mΩ. Modul ini menggunakan teknologi chip M1H untuk meningkatkan kinerja drift VGS(th), RDS(on) dan jendela tegangan penggerak gerbang. Selain itu, tersedia versi Thermal Interface Material (TIM) yang telah diterapkan sebelumnya. Modul ini cocok untuk pengisian kendaraan listrik, inverter fotovoltaik, UPS dan bidang lainnya.