1200V SiC M1H çipindən istifadə edən Infineon-un 62 mm yarım körpü modulu

Infineon-un yeni 1200V SiC M1H çipinin 62 mm-lik yarım körpü modulu, maksimum spesifikasiyası 1mΩ olan işə salındı. Modul VGS(th), RDS(on) drift və gate drive gərginlik pəncərəsinin performansını yaxşılaşdırmaq üçün M1H çip texnologiyasından istifadə edir. Bundan əlavə, əvvəlcədən tətbiq edilmiş Termal İnterfeys Materialı (TIM) versiyası mövcuddur. Bu modul elektrik avtomobillərinin doldurulması, fotovoltaik çeviricilər, UPS və digər sahələr üçün uyğundur.