Samsung Electronics lancéiert 12nm DDR5 DRAM a fänkt d'Massproduktioun un

Samsung Electronics huet viru kuerzem ugekënnegt datt säin 16Gb DDR5 DRAM mat 12nm Prozesstechnologie a Masseproduktioun gesat gouf. Dës nei Generatioun vun DRAM ass méi energieeffizient a produktiv a wäert d'nächst Generatioun Rechenapplikatiounen optimiséieren, inklusiv kënschtlech Intelligenz. Am Verglach mat der viregter Generatioun vu Produkter reduzéiert den neien DRAM den Energieverbrauch ëm 23% a erhéicht d'Waferproduktivitéit ëm 20%. Zousätzlech kann et Geschwindegkeete vu bis zu 7,2 Gigabits pro Sekonn ënnerstëtzen, wat gläichwäerteg ass mat der Veraarbechtung vun ongeféier zwee 30GB UHD Filmer pro Sekonn. Samsung wäert seng 12nm DRAM Produktlineup weider ausbaue fir d'Nofro vum Maart z'erreechen.