Samsung Electronics выпускает 12-нм DDR5 DRAM и начинает массовое производство

Компания Samsung Electronics недавно объявила, что ее 16-гигабайтная DDR5 DRAM, выполненная по 12-нм техпроцессу, запущена в массовое производство. Это новое поколение DRAM является более энергоэффективным и производительным и оптимизирует вычислительные приложения следующего поколения, включая искусственный интеллект. По сравнению с продуктами предыдущего поколения новая DRAM снижает энергопотребление на 23% и увеличивает производительность пластин на 20%. Кроме того, он может поддерживать скорость до 7,2 гигабит в секунду, что эквивалентно обработке примерно двух фильмов UHD по 30 ГБ в секунду. Samsung продолжит расширять линейку продуктов DRAM, изготовленных по 12-нм техпроцессу, чтобы удовлетворить рыночный спрос.