Samsung Electronics izlaiž 12 nm DDR5 DRAM un sāk masveida ražošanu

Samsung Electronics nesen paziņoja, ka tā 16 Gb DDR5 DRAM, izmantojot 12 nm procesa tehnoloģiju, ir nodota masveida ražošanā. Šī jaunās paaudzes DRAM ir energoefektīvāka un produktīvāka, un tā optimizēs nākamās paaudzes skaitļošanas lietojumprogrammas, tostarp mākslīgo intelektu. Salīdzinot ar iepriekšējās paaudzes produktiem, jaunā DRAM samazina enerģijas patēriņu par 23% un palielina vafeļu produktivitāti par 20%. Turklāt tas var atbalstīt ātrumu līdz 7,2 gigabitiem sekundē, kas ir līdzvērtīgs aptuveni divu 30 GB UHD filmu apstrādei sekundē. Samsung turpinās paplašināt savu 12nm DRAM produktu klāstu, lai apmierinātu tirgus pieprasījumu.