Samsung Electronics запускає 12-нм DDR5 DRAM і починає масове виробництво

Компанія Samsung Electronics нещодавно оголосила, що її 16 ГБ DDR5 DRAM за 12-нм техпроцесом було запущено в масове виробництво. Це нове покоління DRAM є більш енергоефективним і продуктивним і оптимізує обчислювальні програми нового покоління, включаючи штучний інтелект. У порівнянні з продуктами попереднього покоління нова DRAM знижує енергоспоживання на 23% і підвищує продуктивність пластин на 20%. Крім того, він може підтримувати швидкість до 7,2 гігабіт на секунду, що еквівалентно обробці приблизно двох UHD-фільмів 30 ГБ на секунду. Samsung продовжуватиме розширювати лінійку продуктів 12-нм DRAM, щоб задовольнити ринковий попит.