Samsung Electronics stel 12nm DDR5 DRAM bekend en begin massaproduksie

Samsung Electronics het onlangs aangekondig dat sy 16Gb DDR5 DRAM wat 12nm-prosestegnologie gebruik, in massaproduksie geplaas is. Hierdie nuwe generasie DRAM is meer energiedoeltreffend en produktief en sal die volgende generasie rekenaartoepassings optimaliseer, insluitend kunsmatige intelligensie. In vergelyking met die vorige generasie produkte, verminder die nuwe DRAM kragverbruik met 23% en verhoog wafer-produktiwiteit met 20%. Boonop kan dit snelhede van tot 7,2 gigabit per sekonde ondersteun, wat gelykstaande is aan die verwerking van ongeveer twee 30 GB UHD-flieks per sekonde. Samsung sal voortgaan om sy 12nm DRAM-produkreeks uit te brei om aan die markvraag te voldoen.