Infineon ja Infineon yhdistävät voimansa edistääkseen uusien energiaajoneuvojen latausmarkkinoiden kehitystä

Infineon Technologies on tehnyt yhteistyötä Infineonin kanssa käyttääkseen piikarbidi (SiC) tehopuolijohteita sähköajoneuvojen latausasemien tehokkuuden parantamiseksi. Infineon tarjoaa 1 200 V CoolSiC™ MOSFETit auttaakseen Infineonia säilyttämään alan teknologiajohtajuutensa. SiC-teknologialla voidaan parantaa lataustehokkuutta, alentaa kustannuksia ja vähentää hiilidioksidipäästöjä.