Infineon an Infineon sech zesummen fir d'Entwécklung vun neien Energie Gefier Opluedstatiounen Maart ze förderen

Infineon Technologies huet sech mat Infineon zesummegeschafft fir Siliziumkarbid (SiC) Kraaft Halbleiteren ze benotzen fir d'Effizienz vun elektresche Gefierer Opluedstatiounen ze verbesseren. Infineon bitt 1200 V CoolSiC ™ MOSFETs fir Infineon ze hëllefen seng Industrietechnologie Leadership z'erhalen. SiC Technologie kann d'Ladeffizienz verbesseren, d'Käschte reduzéieren an d'Kuelestoffemissioune reduzéieren.